CMOS (complementary metal-oxidesemiconductor)技術製作超大型積體電路的尖端科技。目前的發展趨勢是把更多的電子系統製成CMOS VLSI 晶片,CMOS VLSI 晶片的基本構成元件為「場效電晶體」(fieldeffect transistor,縮寫成FET)以下將對FET的特性作介紹。
目前已有多種CMOS VLSI元件結構的製程問世。圖一為典型的P 型基體(N 型井)CMOS VLSI 製造技術所製成元件的基本結構。由這個結構圖不難看出,P通道FET (PFET)位於N 型井, 而N 通道FET (NFET) 則位於P 型基體中。在NFET 中,如果在「多晶矽」(polysilicon) 閘極加上正向偏壓,則P 型基體的表面會因感應負電荷而形成「反相層」(inversion layer),這些帶負電的電子負責將電流自汲極傳送到源極。相反的,在PFET中,閘極必須加上負向偏壓,因此通道表面會感應帶正電的電洞,由於電洞的移動,通道中就有電流的傳導。
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